洛斯阿拉莫斯国家实验室开发一种出色耐辐射性钨基高熵合金-新技术新成果-市场动态-变压器市场网
| 手机版       您好,欢迎来到变压器市场网!平台已覆盖越南、泰国、柬埔寨、缅甸等东南亚,印度、南非、俄罗斯、加拿大等海外区域。
 
   
   
 
当前位置: 首页 » 市场动态 » 新技术新成果 » 正文
分享到:

洛斯阿拉莫斯国家实验室开发一种出色耐辐射性钨基高熵合金

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-03-14  浏览次数:4360

近日,美国洛斯阿拉莫斯国家实验室开发了一种具有优异耐辐射性能的体心立方钨基耐火高熵合金。该合金生长为薄膜,在纳米晶和超细体系中显示出双峰晶粒尺寸分布,并通过原子探针断层扫描(APT)显示出独特的4nm薄片结构。透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射显示材料在高温热退火后出现某些黑点。TEM和APT分析认为黑点的产生于富含Cr和V的第二相颗粒有关。此外,纳米力学测试结果显示沉积样品的硬度为14GPa,辐射硬化几乎可以忽略不计。结合ab initio和Monte Carlo模拟预测了富含V的第二相粒子的形成以及点缺陷的相等摩尔点作为辐射耐受性的起点。该成果以题为”Outstanding Radiation Resistance of Tungsten-Based High-Entropy Alloys”发表在Sci. Adv.上。


       磁聚变反应堆中的关键部件,比如偏滤器或等离子体材料,都需要满足一些性能要求,包括低活化、高熔点、良好的机械性能、低溅射腐蚀和低氚保留/共沉积。这些部件必须在高温下长时间运行,在暴露于大等离子体热量和高能中性氢同位素(D和T)的情况下,不会发生故障或大面积侵蚀。钨是等离子体材料的好的选择,因为它具有较高的熔融温度、较低的腐蚀速率和较低的氚保留。然而,钨本身具有非常低的断裂韧性,这严重限制了部件的有效操作温度,并同时产生了一系列制造上的困难。目前已经观察到的结果是,D和He在中等温度下(<800K)会起泡,He在高温下(>1600K)会形成凹坑、空穴和起泡。这些现象的形成机理尚不清楚,但科学家猜测其很大归因于材料缺陷中D和He的积累。在稍微低一点的温度下(1250-1600K),将钨暴露在He等离子体中可以观察到纳米级起泡的产生。而在接近国际热核实验反应堆的工作条件下,可以发现材料表面具有纳米结构的形貌。这些纳米结构表面所增加的表面积和脆性引起了钨用作聚变反应堆等离子体材料的关注。


       在这个工作中,作者开发了一种具有优异耐辐射性能的体心立方钨基耐火高熵合金。该合金生长为薄膜,在纳米晶和超细体系中显示出双峰晶粒尺寸分布,并通过原子探针断层扫描(APT)显示出独特的4nm薄片结构。透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射显示材料在高温热退火后出现某些黑点。TEM和APT分析认为黑点的产生于富含Cr和V的第二相颗粒有关。此外,纳米力学测试结果显示沉积样品的硬度为14GPa,辐射硬化几乎可以忽略不计。结合ab initio和Monte Carlo模拟预测了富含V的第二相粒子的形成以及点缺陷的相等摩尔点作为辐射耐受性的起点。

 


图1:合金组份表征 (a).TEM表征;(b).元素分析;(c).SEM表征

 

 

 

图2:HEA的APT分析 (a-d).Cr,V,Ta和W的3D分布;(e-h).元素二维组份分析;(i-l).三种不同GBs的俯视图

 



图3:TEM表征



图4:材料辐射后的TEM表征 (a).使用<111>区域成像显示小黑点;(b).双光束成像显示没有黑点

 


 

图5:HEA辐射后的APT分析 (a-d).Cr,V,Ta和W的三维分布;(e-h). Cr,V,Ta和W的二维组份分析;(i-l).三种不同GBs的俯视图


 

图6.原子构型的理论预测 (a).W38Ta36Cr15V11的SRO参数随温度的变化;(b).W38Ta36Cr15V11的原子构型模拟;(c).元素的平均浓度分布


 

原文链接:Outstanding Radiation Resistance of Tungsten-Based High-Entropy Alloys(Sci. Adv., 2019, DOI: 10.1126/sciadv.aav2002)

 

 


特别提示:本信息由相关企业自行提供,真实性未证实,仅供参考。请谨慎采用,风险自负。


[ 市场动态搜索 ]  [ ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]


 
相关市场动态
推荐市场动态
点击排行