中国南车株洲所在IGBT技术打破国外垄断
日期:2014-03-15 11:09
从中国南车获悉,公司下属的株洲所举办的高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发项目鉴定会上,研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,该项目代表我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。

中国南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友向大智慧通讯社透露,中国南车株洲所在IGBT项目上总投资超过20亿元,目前该公司有近百位来自全球的顶尖专家从事IGBT器件芯片及模块技术的研发,在IBGT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项难题,掌握该器件的成套技术,并在IGBT的
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