中国南车株洲所在IGBT技术打破国外垄断
日期:2014-03-15 11:09
空间。

此前，高压高功率密度IGBT技术几乎全部被国外少数几家企业垄断，国内还是一片空白。从2011年开始，中国南车株洲所通过全球性的战略布局，吸纳国际优势研发资源，对该项高端技术进行自主攻关，终于在去年12月份开发出国内首款从芯片到模块完全自主化的3300伏等级的IGBT芯片，并在此基础上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模块，初步形成了IGBT器件技术的完整产品型谱。

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