日期:2017-01-13 12:27
6.5kV），IGBT是市场上的主流产品。IGBT器件（包括大功率模块、智能功率模块）已经涵盖了300V～6.5kV的电压和2A～3600A的电流。近年来，以德国英飞凌、瑞士ABB、日本三菱、东芝和富士等为代表的电力电子器件企业开发了先进的IGBT技术和产品，占有全球每年约50亿美元的市场，带动了高达几百亿美元的电力电子设备市场。
SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。GaN是另一种重要的宽禁带半导体材料。它具有独特的异质结结构和二维电子气，在此基础上研制的高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种平