日期:2017-11-20 09:23
据《科学》杂志14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。发表在本周出版的《科学》杂志上的这一研究成果，突破了相变存储器（PCRAM）的存储速度极限，为实现中国自主通用存储器技术奠定了基础。
据科技日报报道，经过几十年的发展，计算机已经变得更小、更快、更便宜，存储性能继续提升所面临的挑战也更加严峻。
静态/动态随机存储器（SRAM缓存/DRAM内存）是与计算机中央处理器直接交换数据的临时存储媒